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IXYK110N120B4

Transistor: IGBT; 1,2kV; 110A; 1,36kW; TO264

NOUVEAUTÉ

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYK110N120B4
Référence TME:
IXYK110N120B4

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
110A
Puissance de dissipation
1,36kW
Boîtier
TO264
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
800A
Montage
THT
Genre de la emballage
tube
Poids brut1 g
Certificates
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IXYK110N120B4
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