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IXYN85N120C4H1

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYN85N120C4H1
Référence TME:
IXYN85N120C4H1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
85A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
420A
Puissance de dissipation
600W
La technologie
GenX4™, XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut30 g
Certificates
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IXYN85N120C4H1
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 26.61 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 26.61 USD
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