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IXYP15N65C3D1M

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYP15N65C3D1M
Référence TME:
IXYP15N65C3D1M

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
9A
Puissance de dissipation
57W
Boîtier
TO220FP
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
Montage
THT
Charge d'entrée
19nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
36ns
Temps d'extinction
122ns
Poids brut2.5 g
Certificates
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IXYP15N65C3D1M
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