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IXYP20N65B3D1

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYP20N65B3D1
Référence TME:
IXYP20N65B3D1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, Planar, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
230W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
108A
Montage
THT
Charge d'entrée
29nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
39ns
Temps d'extinction
271ns
Poids brut2 g
Certificates
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IXYP20N65B3D1
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