IXYX100N65B3D1
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXYX100N65B3D1
Référence TME:
IXYX100N65B3D1
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | GenX3™, Planar, XPT™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 100A | |
Puissance de dissipation | 830W | |
Boîtier | PLUS247™ | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 460A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 168nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 65ns | |
Temps d'extinction | 358ns |
Poids brut6 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT IXYS,
* IXYX100N65B3D1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 25.39 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 25.39 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 22.83 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 22.83 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 20.03 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 20.03 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 18.17 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 18.17 USD