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IXYX200N65B3

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1,56kW; PLUS247™


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXYX200N65B3
Référence TME:
IXYX200N65B3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
GenX3™, XPT™
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
200A
Puissance de dissipation
1,56kW
Boîtier
PLUS247™
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
1,1kA
Montage
THT
Charge d'entrée
340nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
170ns
Temps d'extinction
700ns
Poids brut6 g
Certificates
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IXYX200N65B3
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 38.55 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 38.55 USD
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 30.98 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 30.98 USD
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