LND01K1-G
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 9V; 330mA; Idm: 0,6A; 0,36W
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
LND01K1-G
Référence TME:
LND01K1-G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 9V | |
Courant du drain | 0,33A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 0,6A | |
Puissance de dissipation | 0,36W | |
Boîtier | SOT23-5 | |
Résistance en état de conduction | 1,4Ω | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | appauvri | |
Emballage standard du fabricant | 3000pc |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* LND01K1-GNombre de pièces (Multiplication: 1)
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