LND250K1-G
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 13mA; Idm: 30A; 0,36W
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
LND250K1-G
Référence TME:
LND250K1-G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 13mA | |
Courant du drain dans l'impulsion | 30A | |
Puissance de dissipation | 0,36W | |
Boîtier | SOT23-3 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 1kΩ | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | appauvri | |
Emballage standard du fabricant | 3000pc |
Poids brut0.01 g
Certificates
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