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LSIC1MO120E0080

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 25A; Idm: 80A; 179W


Fabricant: LITTELFUSE

Marque du fabricant:
LSIC1MO120E0080
Référence TME:
LSIC1MO120E0080

Spécification

Fabricant
LITTELFUSE
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
25A
Courant du drain dans l'impulsion
80A
Puissance de dissipation
179W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-5...20V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
95nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6.14 g
Certificates
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LSIC1MO120E0080
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