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MBR2H200SFT3G

Diode: redressement Schottky; SOD123F; SMD; 200V; 2A

NOUVEAUTÉ

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MBR2H200SFT3G
Référence TME:
MBR2H200SFT3G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de diode
redressement Schottky
Boîtier
SOD123F
Montage
SMD
Tension inverse max.
200V
Courant de conduction
2A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Tension de conduction max.
0,78V
Courant de conduction max.
4A
Courant d'impulsion max.
30A
Genre de la emballage
bande, rouleau
Poids brut0.025 g
Certificates
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MBR2H200SFT3G
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