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MBT3906DW1T1G

Transistor: PNP x2; bipolaire; 40V; 0,2A; 0,15W


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MBT3906DW1T1G
Référence TME:
MBT3906DW1T1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
PNP x2
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
40V
Courant du collecteur
0,2A
Puissance de dissipation
0,15W
Boîtier
SC70-6, SC88, SOT363
Renforcement du transistor
100...300
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
250MHz
Poids brut0.013 g
Certificates

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MBT3906DW1T1G
18022 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs