MCNA120UI2200TED
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MCNA120UI2200TED
Référence TME:
MCNA120UI2200TED
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/thyristor/IGBT | |
Topologie | boost chopper, pont 3-phase diode-thyristor, thermistor NTC | |
Tension inverse max. | 2,2kV | |
Courant du collecteur | 80A | |
Boîtier | E2-Pack | |
Utilisation | onduleur | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut10 g
Certificates
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* MCNA120UI2200TEDNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 183.31 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 183.31 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 163.58 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 163.58 USD
Prix net pour les quantités de 6 pcs - 146.18 USDPrix brut pour les quantités de 6 pcs - 146.18 USD