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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/thyristor/IGBT
Topologie	boost chopper, pont 3-phase diode-thyristor, thermistor NTC
Tension inverse max.	2,2kV
Courant du collecteur	80A
Boîtier	E2-Pack
Utilisation	onduleur
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	150A
Montage mécanique	vissés

MCNA120UI2200TED

Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV

Spécification