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MDMA210UB1600PTED

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MDMA210UB1600PTED
Référence TME:
MDMA210UB1600PTED

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
84A
Boîtier
E2-Pack
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
225A
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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MDMA210UB1600PTED
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