MDNA210UB2200PTED
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MDNA210UB2200PTED
Référence TME:
MDNA210UB2200PTED
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Topologie | boost chopper, redresseur 3-phase, thermistor NTC | |
Tension inverse max. | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 100A | |
Boîtier | E2-Pack | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut100 g
Certificates
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* MDNA210UB2200PTEDNombre de pièces (Multiplication: 28)
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Prix net pour les quantités de 28 pcs - 130.05 USDPrix brut pour les quantités de 28 pcs - 130.05 USD