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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/transistor
Topologie	boost chopper, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.	1,7kV
Courant du collecteur	135A
Boîtier	E2-Pack
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	280A
Montage mécanique	vissés

MDNA360UB2200PTED

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV

Spécification