MG12200D-BN2MM
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MG12200D-BN2MM
Référence TME:
MG12200D-BN2MM
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | ||
Topologie | demi-pont IGBT | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant du collecteur | 200A | ||
Boîtier | Y3-DCB | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 400A | ||
La technologie | Field Stop, Trench | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut100 g
Certificates
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* MG12200D-BN2MMNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 196.11 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 196.11 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 175.59 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 175.59 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 156.21 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 156.21 USD