MID200-12A4
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; NPT
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MID200-12A4
Référence TME:
MID200-12A4
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 180A | |
Boîtier | Y3-DCB | |
Utilisation | moteurs | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 360A | |
Puissance de dissipation | 1,13kW | |
La technologie | NPT | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut10 g
Certificates
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* MID200-12A4Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 192.71 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 192.71 USD
Prix net pour les quantités de 4 pcs - 171.81 USDPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 171.81 USD
Prix net pour les quantités de 6 pcs - 154.40 USDPrix brut pour les quantités de 6 pcs - 154.40 USD