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MIEB100W1200TEH

Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 128A; vissés

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIEB100W1200TEH
Référence TME:
MIEB100W1200TEH

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur -3-phases MOSFET, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
128A
Boîtier
E3-Pack
Montage électrique
Press-in PCB
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MIEB100W1200TEH
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 154.69 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 154.69 USD
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