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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Topologie	redresseur -3-phases MOSFET, thermistor NTC
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	128A
Boîtier	E3-Pack
Montage électrique	Press-in PCB
Montage mécanique	vissés

MIEB100W1200TEH

Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 128A; vissés

Spécification