MIEB101H1200EH
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur H; Urmax: 1,2kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MIEB101H1200EH
Référence TME:
MIEB101H1200EH
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | |
Topologie | redresseur H | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 128A | |
Boîtier | E3-Pack | |
Utilisation | moteurs, photovoltaïque | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Puissance de dissipation | 630W | |
La technologie | Sonic FRD™, SPT+ | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut10 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Modules IGBT IXYS,
* MIEB101H1200EHNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 197.62 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 197.62 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 174.37 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 174.37 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 156.94 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 156.94 USD