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MII75-12A3

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MII75-12A3
Référence TME:
MII75-12A3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
60A
Boîtier
Y4-M5
Utilisation
moteurs, photovoltaïque, pour pompe, ventilateurs
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
Puissance de dissipation
370W
La technologie
NPT
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MII75-12A3
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 77.51 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 77.51 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 68.50 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 68.50 USD
Prix net pour les quantités de 6 pcs - 61.55 USDPrix brut pour les quantités de 6 pcs - 61.55 USD
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