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MIXA101W1200EH

Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 108A; XPT™

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIXA101W1200EH
Référence TME:
MIXA101W1200EH

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur -3-phases MOSFET
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
108A
Boîtier
E3-Pack
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
La technologie
XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MIXA101W1200EH
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