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MIXA150R1200VA

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 695W

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIXA150R1200VA
Référence TME:
MIXA150R1200VA

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
175A
Boîtier
V1-A-Pack
Utilisation
moteurs, photovoltaïque, pour pompe, ventilateurs
Montage électrique
FASTON connecteurs
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
450A
Puissance de dissipation
695W
La technologie
Sonic FRD™, XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MIXA150R1200VA
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 42.16 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.16 USD
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 33.48 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 33.48 USD
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