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MIXA61H1200ED

Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur H; Urmax: 1,2kV

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIXA61H1200ED
Référence TME:
MIXA61H1200ED

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur H
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
60A
Boîtier
E2-Pack
Utilisation
moteurs, photovoltaïque
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Puissance de dissipation
290W
La technologie
Sonic FRD™, XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MIXA61H1200ED
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