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MIXA61WB1200TEH

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; XPT™

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIXA61WB1200TEH
Référence TME:
MIXA61WB1200TEH

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, redresseur 3-phase, redresseur 3-phases IGBT, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
190A
Boîtier
E3-Pack
Montage électrique
Press-in PCB
La technologie
XPT™
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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MIXA61WB1200TEH
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