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MJD31CT4G

Transistor: NPN; bipolaire; 100V; 3A; 15W; DPAK

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MJD31CT4G
Référence TME:
MJD31CT4G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
100V
Courant du collecteur
3A
Puissance de dissipation
15W
Boîtier
DPAK
Renforcement du transistor
10...50
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
3MHz
Poids brut0.387 g
Certificates

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MJD31CT4G
193 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs