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MJD41CT4G

Transistor: NPN; bipolaire; 100V; 6A; 20W; DPAK

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MJD41CT4G
Référence TME:
MJD41CT4G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
100V
Courant du collecteur
6A
Puissance de dissipation
20W
Boîtier
DPAK
Renforcement du transistor
15...75
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
3MHz
Poids brut1 g
Certificates
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MJD41CT4G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.17 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.17 USD
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Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.53 USD
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