MKI100-12F8
Module: IGBT; diode/transistor; redresseur H; Urmax: 1,2kV; 640W
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MKI100-12F8
Référence TME:
MKI100-12F8
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Topologie | redresseur H | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 125A | |
Boîtier | E3-Pack | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Puissance de dissipation | 640W | |
La technologie | HiPerFRED™, NPT | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut300 g
Certificates
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* MKI100-12F8Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 259.10 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 259.10 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 233.88 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 233.88 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 206.36 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 206.36 USD