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MMBF170LT1G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 0,5A; 0,225W; SOT23

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MMBF170LT1G
Référence TME:
MMBF170LT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
0,5A
Puissance de dissipation
0,225W
Boîtier
SOT23
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
5Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.014 g
Certificates

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MMBF170LT1G
12922 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.18 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.18 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs