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MMBFJ177LT1G

Transistor: P-JFET; unipolaire; 1,5mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA

Documentation EN

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MMBFJ177LT1G
Référence TME:
MMBFJ177LT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-JFET
Polarisation
unipolaire
Courant du drain
1,5mA
Puissance de dissipation
0,225W
Boîtier
SOT23
Tension entrée-source
30V
Résistance en état de conduction
300Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
courant d'entrée
50mA
Poids brut0.017 g
Certificates

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MMBFJ177LT1G
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs