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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	NPN
Polarisation	bipolaire
Tensions collecteur-émetteur	140V
Courant du collecteur	0,6A
Puissance de dissipation	0,225W
Boîtier	SOT23
Renforcement du transistor	60
Montage	SMD
Utilisation	universels

MMBT5550LT3G

Transistor: NPN; bipolaire; 140V; 600mA; 225mW; SOT23; universels

Spécification