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MMBTH10LT1G

Transistor: NPN; bipolaire; RF; 25V; 225/300mW; SOT23

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MMBTH10LT1G
Référence TME:
MMBTH10LT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Genre de transistor
RF
Tensions collecteur-émetteur
25V
Puissance de dissipation
0,225/0,3W
Boîtier
SOT23
Renforcement du transistor
60...240
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
650MHz
Poids brut0.027 g
Certificates

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MMBTH10LT1G
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