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MMBTH10M3T5G

Transistor: NPN; bipolaire; RF; 25V; 0,64W; SOT723

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
MMBTH10M3T5G
Référence TME:
MMBTH10M3T5G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Genre de transistor
RF
Tensions collecteur-émetteur
25V
Puissance de dissipation
0,64W
Boîtier
SOT723
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
650MHz
Poids brut0.01 g
Certificates
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MMBTH10M3T5G
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