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MSC012SMC120B4N

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 84A; Idm: 350A; 577W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC012SMC120B4N
Référence TME:
MSC012SMC120B4N

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
84A
Courant du drain dans l'impulsion
350A
Puissance de dissipation
577W
Boîtier
TO247-4-notch
Résistance en état de conduction
22mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
194nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Famille
SMC
Poids brut1 g
Certificates

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MSC012SMC120B4N
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