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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	46A
Courant du drain dans l'impulsion	105A
Puissance de dissipation	323W
Boîtier	TO247-3
Résistance en état de conduction	50mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	137nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Emballage standard du fabricant	30pc
Famille	SMA

MSC040SMA120B

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque