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MSC040SMA120SDT/R

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1,2kV; 68A; 338W; TO263

NOUVEAUTÉ

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC040SMA120SDT/R
Référence TME:
MSC040SMA120SDT/R

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
68A
Puissance de dissipation
338W
Boîtier
TO263
Tension entrée-source
-10...23V
Résistance en état de conduction
50mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
137nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Emballage standard du fabricant
800pc
Poids brut2.2 g
Certificates

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MSC040SMA120SDT/R
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Multiplication: 800.