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MSC040SMA120SDT/RM

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 57A; Idm: 215A; 473W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC040SMA120SDT/RM
Référence TME:
MSC040SMA120SDT/RM

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
57A
Courant du drain dans l'impulsion
215A
Puissance de dissipation
473W
Boîtier
TO263-7XL
Résistance en état de conduction
50mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
137nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Emballage standard du fabricant
100pc
Famille
SMA
Poids brut1 g
Certificates

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MSC040SMA120SDT/RM
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