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MSC080SMA120B4N

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 28A; Idm: 111A; 231W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC080SMA120B4N
Référence TME:
MSC080SMA120B4N

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
28A
Courant du drain dans l'impulsion
111A
Puissance de dissipation
231W
Boîtier
TO247-4-notch
Résistance en état de conduction
0,1Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
64nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Emballage standard du fabricant
30pc
Famille
SMA
Poids brut1 g
Certificates

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MSC080SMA120B4N
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 12.25 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 12.25 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 10.86 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 10.86 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.71 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.71 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 9.06 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 9.06 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 8.09 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 8.09 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)