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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 3,3kV | |
Courant du drain | 27A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 107A | |
Puissance de dissipation | 439W | |
Boîtier | TO247-4-notch | |
Résistance en état de conduction | 106mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 161nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin | |
Emballage standard du fabricant | 30pc | |
Famille | SMA |