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MSC080SMB120SDT/RM

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 30A; Idm: 111A; 268W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC080SMB120SDT/RM
Référence TME:
MSC080SMB120SDT/RM

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
111A
Puissance de dissipation
268W
Boîtier
TO263-7XL
Résistance en état de conduction
0,1Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
64nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Emballage standard du fabricant
100pc
Famille
SMB
Poids brut1.815 g
Certificates

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MSC080SMB120SDT/RM
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 6.73 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.73 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 6.05 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 6.05 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 5.34 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 5.34 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.81 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.81 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 4.48 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 4.48 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)