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MSC090SMA070SDT/RM

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 700V; 24A; Idm: 126A; 156W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC090SMA070SDT/RM
Référence TME:
MSC090SMA070SDT/RM

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
700V
Courant du drain
24A
Courant du drain dans l'impulsion
126A
Puissance de dissipation
156W
Boîtier
TO263-7XL
Résistance en état de conduction
112mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
41nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Emballage standard du fabricant
100pc
Famille
SMA
Poids brut1 g
Certificates

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MSC090SMA070SDT/RM
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