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MSC360SMA120SCT/RM

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 9A; Idm: 27A; 104W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSC360SMA120SCT/RM
Référence TME:
MSC360SMA120SCT/RM

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
9A
Courant du drain dans l'impulsion
27A
Puissance de dissipation
104W
Boîtier
PSMT-16L
Résistance en état de conduction
0,45Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
21nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Emballage standard du fabricant
100pc
Famille
SMA
Poids brut1.375 g
Certificates

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MSC360SMA120SCT/RM
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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