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MSCSM120AM16CT1AG

Module; diode SiC/transistor; 1,2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB


Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSCSM120AM16CT1AG
Référence TME:
MSCSM120AM16CT1AG

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
diode SiC/transistor
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
138A
Boîtier
SP1F
Topologie
demi point MOSFET + diodes parallèles, thermistor NTC
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
16mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
350A
Puissance de dissipation
745W
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut80 g
Certificates

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MSCSM120AM16CT1AG
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Multiplication: 4.