MSMLJ58CAE3
Diode: TVS; 3kW; 67,8V; 32A; bidirectionnelle; ±5%; DO214AB
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
MSMLJ58CAE3
Référence TME:
MSMLJ58CAE3
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de diode | TVS | |
Puissance dispercée dans l'impulsion max. | 3kW | |
Tension inverse max. | 58V | |
Tension de claquage | 67,8V | |
Courant d'impulsion max. | 32A | |
Construction de semi-conducteur | bidirectionnelle | |
Tolérance | ±5% | |
Boîtier | DO214AB | |
Montage | SMD | |
courant de fuite | 2µA |
Poids brut1 g
Certificates
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* MSMLJ58CAE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 2.18 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 2.18 USD
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