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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	NPN
Polarisation	bipolaire
Genre de transistor	BRT
Tensions collecteur-émetteur	50V
Courant du collecteur	0,1A
Puissance de dissipation	0,23W
Boîtier	SC59
Renforcement du transistor	35...60
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Résistance base	10kΩ
Résistance émetteur-base	10kΩ

MUN2211T3G

Transistor: NPN; bipolaire; BRT; 50V; 0,1A; 0,23W; SC59; R1: 10kΩ

Spécification

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