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MUPTB8/TR

Diode: TVS; 0,15kW; 9V; 10,9A; bidirectionnelle; Ch: 1; -65÷150°C

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MUPTB8/TR
Référence TME:
MUPTB8/TR

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de diode
TVS
Puissance dispercée dans l'impulsion max.
0,15kW
Tension inverse max.
8V
Tension de claquage
9V
Courant d'impulsion max.
10,9A
Construction de semi-conducteur
bidirectionnelle
Montage
SMD
courant de fuite
2µA
Nombre de canaux
1
Température de travail
-65...150°C
Série du fabricant
UPT
Poids brut0.044 g
Certificates

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