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MXP120A045FW-GE3

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 31A; Idm: 98A; 91W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
MXP120A045FW-GE3
Référence TME:
MXP120A045FW-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
MaxSiC™, SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
31A
Courant du drain dans l'impulsion
98A
Puissance de dissipation
91W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-5...20V
Résistance en état de conduction
99mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
75,6nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5 g
Certificates
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MXP120A045FW-GE3
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