MXP120A080FE-T1GE3
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 19A; Idm: 60A; 56W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
MXP120A080FE-T1GE3
Référence TME:
MXP120A080FE-T1GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | MaxSiC™, SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 19A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 60A | |
Puissance de dissipation | 56W | |
Boîtier | TO263-7 | |
Tension entrée-source | -5...20V | |
Résistance en état de conduction | 0,175Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 47,3nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin |
Poids brut2 g
Certificates
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* MXP120A080FE-T1GE3Nombre de pièces (Multiplication: 800)
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Produit sur commande spéciale