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MXP120A250FL-GE3

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 6,7A; Idm: 21A; 22W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
MXP120A250FL-GE3
Référence TME:
MXP120A250FL-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
MaxSiC™, SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
6,7A
Courant du drain dans l'impulsion
21A
Puissance de dissipation
22W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-5...20V
Résistance en état de conduction
0,5Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
20,3nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut5 g
Certificates
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MXP120A250FL-GE3
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 5.97 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 5.97 USD
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