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Fabricant	ONSEMI
Type de circuit intégré	mémoire SRAM
Genre de mémoire	SRAM
Mémoire	1Mb SRAM
Organisation de mémoire	128kx8bit
Tension de travail	2,5...5,5V
Boîtier	TSSOP8
Montage	SMD
Température de travail	-40...85°C
Type interface	série

N01S830BAT22IT

IC: mémoire SRAM; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2,5÷5,5V; TSSOP8; -40÷85°C

Spécification