NCP5111DR2G

Name: ONSEMI NCP5111DR2G
Brand: ONSEMI
SKU: NCP5111DR2G
Availability: OutOfStock

IC: driver; demi-pont IGBT,demi-pont MOSFET; SO8; -500÷250mA

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NCP5111DR2G

Référence TME:

NCP5111DR2G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.15 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.15 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.84 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.84 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.76 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.76 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.73 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.73 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Fabricant	ONSEMI
Type de circuit intégré	driver
Topologie	demi-pont IGBT, demi-pont MOSFET
Genre de circuit intégré	commande de ports, high-/low-side
Boîtier	SO8
Courant de base	-500...250mA
Nombre de canaux	2
Montage	SMD
Température de travail	-40...125°C
Temps de croissance d'impulsion	160ns
Temps de baisse d'impulsion	75ns
Genre de la emballage	bande, rouleau
Classe de tension	600V
Protection	à sous tension UVP